U盤及微硬盤的存儲介質(zhì)

　　一、閃存

　　Flash Memory，即閃存，是一種EEPROM(電可擦寫)芯片。它包含縱橫交錯的柵格，其中的單元格的每一個交叉點都有兩個晶體管。這兩個晶體管被一層薄薄的氧化物隔開，分別稱為柵極和控制極。柵極通過控制極直線相連。一旦發(fā)生連接，單元格的值即為“1”。單元格的值要變?yōu)?ldquo;0”需要經(jīng)過一個“空穴運動”來改變柵極上電子的位置，此時柵極上通常需要施加10～13V的電壓。這些電荷從位線進(jìn)入柵極和漏極再流向地。這些電荷使得柵極的晶體管象一把電子槍。被激活的電子被推向并聚集在氧化層的另一面，并形成一個負(fù)電壓。這些帶負(fù)電的電子將控制極和柵極隔離開。專門的單元格傳感器監(jiān)控通過柵極的電荷的電壓大小，如果高于前述電壓的50%，則值為“1”;反之則為“0”。一個空白的EEPROM所有門極都是完全打開的，其中每一個單元格的值為“1”。

　　Flash Memory芯片中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區(qū)還原為正常的“1”。Flash Memory采用內(nèi)部閉合電路，這樣不僅使電子區(qū)能夠作用于整個芯片，還可以預(yù)先設(shè)定“塊”。在設(shè)定“塊”的同時就將芯片中的目標(biāo)區(qū)域擦除干凈，以備重新寫入。傳統(tǒng)的EEPROM芯片每次只能擦除一個字節(jié)，而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個芯片。Flash Memory的工作速度大大領(lǐng)先于傳統(tǒng)EEPROM芯片。

　　在人們追求大容量和小體積的新時代中，閃存(容量小)和傳統(tǒng)硬盤(體積大)均無法滿足市場需求。由超小型筆記本和數(shù)碼相機(jī)領(lǐng)域發(fā)展過來的微硬盤，順理成章地拿過了兩個老前輩的接力棒。

　　二、微硬盤

　　微硬盤(Microdrive)最早是由IBM公司開發(fā)的一款超級迷你硬盤機(jī)產(chǎn)品。其最初的容量為340MB和512MB，而現(xiàn)在的產(chǎn)品容量有1GB、2GB以及4GB等。與以前相比，目前的微硬盤降低了轉(zhuǎn)速(4200rpm降為3600rpm)，從而降低了功耗，但增強(qiáng)了穩(wěn)定性。

　　微硬盤(Microdrive)最早是由IBM公司開發(fā)的一款超級迷你硬盤機(jī)產(chǎn)品。其最初的容量為340MB和512MB，而現(xiàn)在的產(chǎn)品容量有1GB、2GB以及4GB等。與以前相比，目前的微硬盤降低了轉(zhuǎn)速(4200rpm降為3600rpm)，從而降低了功耗，但增強(qiáng)了穩(wěn)定性。

　　(本文轉(zhuǎn)自電子工程世界：http://www.eeworld.com.cn/mndz/2012/0521/article_16194.html)

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